Компании Toshiba и SanDisk объявили о сокращении объемов выпуска чипов памяти. Это касается как совместных производственных линий, так и линий, принадлежащих исключительно Toshiba – все из них (а всего насчитывается четыре линии) находятся на заводе Yokkaichi Operations в префектуре Мие, Япония.

В период с 31 декабря 2008 г. по 12 января 2009 г. будут полностью остановлены линии Fab 3 и Fab 4, принадлежащие обеим компаниям. После чего оборудование будет запущено вновь, но уже на 70% от своей прежней мощности. Как долго продлиться такой режим, и будет ли объем производства изменен в дальнейшем, напрямую зависит от экономической обстановки в мире, сообщается в пресс-релизе SanDisk. Линии Fab 3 и Fab 4 являются наиболее современными. На них с применением 56- и 43-нм технологий на кремниевых подложках диаметром 300 мм выпускаются чипы NAND-памяти, которые используются в потребительской электронике: флэш-картах, сотовых телефонах, MP3-плеерах и т.д.

Согласно пресс-релизу Toshiba, принадлежащие ей более старые линии Fab 1 и Fab 2, на которых осуществляется выпуск чипов NAND-памяти, располагающихся на 200-мм подложках, также будут остановлены, но только на 4 дня, включая новогодние праздники. После того как линии в следующем году вновь начнут работать, они будут выпускать лишь 70% от прежнего объема. Причинами столь радикального шага Toshiba называет рецессию глобальной экономики, а также снижение спроса на потребительскую электронику, что в результате привело к перенасыщению складских запасов. В компании добавляют, что будут пристально следить за рынком и в случае необходимости вновь готовы изменить объем производства.

Кроме того, по сообщению американских СМИ, Toshiba собирается приостановить производство еще на трех площадках: в префектуре Оита (Япония) – на период до 22 дней. Здесь изготавливаются схемы с большой степенью интеграции (LSI). Еще один завод в Химэдзи, занимающийся выпуском чипов для адаптеров питания, планируется остановить на 18 дней. И завод по производству микросхем в Китакусю – на 25 дней.

Напомним, что линия Fab 3 была открыта Toshiba и SanDisk в рамках совместного предприятия в феврале 2005 г. Позже, в 2008 г., созрела необходимость в расширении производства – была открыта новая, четвертая линия, на которой, начиная со II половины 2008 г, планировалось делать по 80 тыс. подложек в месяц. Формально эти площадки находятся под управлением Flash Partners и Flash Alliance, совместных предприятий, созданных Toshiba и SanDisk. Каждая из этих двух компаний вложила в строительство заводов равные объемы средств.

Отметим, что компании одна за другой объявляют о закрытии или сокращении производств. На днях Sharp сообщил о снижении объемов выпуска ЖК-панелей. Корпорация Sony объявила о закрытии двух заводов по выпуску электроники в США и Франции. Еще 3-4 завода Sony планирует закрыть в самой Японии.Крупнейшие поставщики чипов памяти Toshiba и SanDisk объявили о сокращении производства на треть. Новый режим будет действовать до тех пор, пока не восстановится спрос на эту продукцию.

Компании Toshiba и SanDisk объявили о сокращении объемов выпуска чипов памяти. Это касается как совместных производственных линий, так и линий, принадлежащих исключительно Toshiba – все из них (а всего насчитывается четыре линии) находятся на заводе Yokkaichi Operations в префектуре Мие, Япония.

В период с 31 декабря 2008 г. по 12 января 2009 г. будут полностью остановлены линии Fab 3 и Fab 4, принадлежащие обеим компаниям. После чего оборудование будет запущено вновь, но уже на 70% от своей прежней мощности. Как долго продлиться такой режим, и будет ли объем производства изменен в дальнейшем, напрямую зависит от экономической обстановки в мире, сообщается в пресс-релизе SanDisk. Линии Fab 3 и Fab 4 являются наиболее современными. На них с применением 56- и 43-нм технологий на кремниевых подложках диаметром 300 мм выпускаются чипы NAND-памяти, которые используются в потребительской электронике: флэш-картах, сотовых телефонах, MP3-плеерах и т.д.

Согласно пресс-релизу Toshiba, принадлежащие ей более старые линии Fab 1 и Fab 2, на которых осуществляется выпуск чипов NAND-памяти, располагающихся на 200-мм подложках, также будут остановлены, но только на 4 дня, включая новогодние праздники. После того как линии в следующем году вновь начнут работать, они будут выпускать лишь 70% от прежнего объема. Причинами столь радикального шага Toshiba называет рецессию глобальной экономики, а также снижение спроса на потребительскую электронику, что в результате привело к перенасыщению складских запасов. В компании добавляют, что будут пристально следить за рынком и в случае необходимости вновь готовы изменить объем производства.

Кроме того, по сообщению американских СМИ, Toshiba собирается приостановить производство еще на трех площадках: в префектуре Оита (Япония) – на период до 22 дней. Здесь изготавливаются схемы с большой степенью интеграции (LSI). Еще один завод в Химэдзи, занимающийся выпуском чипов для адаптеров питания, планируется остановить на 18 дней. И завод по производству микросхем в Китакусю – на 25 дней.

Напомним, что линия Fab 3 была открыта Toshiba и SanDisk в рамках совместного предприятия в феврале 2005 г. Позже, в 2008 г., созрела необходимость в расширении производства – была открыта новая, четвертая линия, на которой, начиная со II половины 2008 г, планировалось делать по 80 тыс. подложек в месяц. Формально эти площадки находятся под управлением Flash Partners и Flash Alliance, совместных предприятий, созданных Toshiba и SanDisk. Каждая из этих двух компаний вложила в строительство заводов равные объемы средств.

Отметим, что компании одна за другой объявляют о закрытии или сокращении производств. На днях Sharp сообщил о снижении объемов выпуска ЖК-панелей. Корпорация Sony объявила о закрытии двух заводов по выпуску электроники в США и Франции. Еще 3-4 завода Sony планирует закрыть в самой Японии.